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型号 IPD135N03L G
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSF N CH 30V 30A PG-TO252-3
IPD135N03L G PDF
代理商 IPD135N03L G
标准包装 1
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 30A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 13.5 毫欧 @ 30A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 10nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1000pF @ 15V
功率 - 最大 31W
安装类型 *
封装/外壳 *
供应商设备封装 *
包装 *
其它名称 IPD135N03L GCT
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